
NVMFS6H801NLT1G ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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1500+ | 1.55 EUR |
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Technische Details NVMFS6H801NLT1G ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 900A; 83W; DFN5, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 160A, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 83W, Case: DFN5, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NVMFS6H801NLT1G nach Preis ab 1.85 EUR bis 4.59 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : onsemi |
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 900A; 83W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 160A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : onsemi |
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NVMFS6H801NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 900A; 83W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 160A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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