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Technische Details NVMFSC1D6N06CL onsemi
Description: ONSEMI - NVMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 224 A, 0.00125 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 224A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVMFSC1D6N06CL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NVMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 224 A, 0.00125 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 224A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NVMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFSC1D6N06CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 224 A, 0.00125 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 224A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFSC1D6N06CL | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP Reel |
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| NVMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 224A; Idm: 900A; 83W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 224A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NVMFSC1D6N06CL | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVMFSC1D6N06CL | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVMFSC1D6N06CL | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 224A; Idm: 900A; 83W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 224A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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