NVMFWS2D3N04XM ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.69 EUR |
| 129+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
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Technische Details NVMFWS2D3N04XM ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 63W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm.
Weitere Produktangebote NVMFWS2D3N04XM nach Preis ab 1.21 EUR bis 4.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVMFWS2D3N04XM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm |
auf Bestellung 1591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFWS2D3N04XM |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS2D3N04XM - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2350 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
auf Bestellung 1591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 55+ | 4.55 EUR |
| 87+ | 2.69 EUR |
| 129+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |