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NVMYS8D0N04CTWG

NVMYS8D0N04CTWG onsemi

nvmys8d0n04c-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel
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Technische Details NVMYS8D0N04CTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVMYS8D0N04CTWG NVMYS8D0N04CTWG ONSEMI 2850047.pdf Description: ONSEMI - NVMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Verlustleistung Pd: 38W
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Kanaltyp: n-Kanal
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