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NVS4409NT1G

NVS4409NT1G onsemi

nts4409n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7746000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.089 EUR
30000+0.086 EUR
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Technische Details NVS4409NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVS4409NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 700 mA, 0.249 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVS4409NT1G NVS4409NT1G onsemi nts4409n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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54+0.33 EUR
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NVS4409NT1G NVS4409NT1G onsemi nts4409n-d.pdf MOSFETs NFET SC70 25V/8V 75MA 350
auf Bestellung 10850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.34 EUR
100+0.15 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.099 EUR
24000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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NVS4409NT1G NVS4409NT1G ONSEMI 2160895.pdf Description: ONSEMI - NVS4409NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 700 mA, 0.249 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVS4409NT1G NVS4409NT1G ONSEMI 2160895.pdf Description: ONSEMI - NVS4409NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 700 mA, 0.249 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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NVS4409NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVS4409NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 700 mA, 0.249 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: ONSEMI - NVS4409NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 700 mA, 0.249 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 280mW
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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