auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.4 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| 1000+ | 1.76 EUR |
| 1500+ | 1.62 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NVTFS002N04CTAG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 136A, Pulsed drain current: 676A, Power dissipation: 27W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NVTFS002N04CTAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS002N04CTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| NVTFS002N04CTAG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 27W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| NVTFS002N04CTAG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 676A; 27W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 136A Pulsed drain current: 676A Power dissipation: 27W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |