NVTFS4C08NTWG Rochester Electronics, LLC
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Technische Details NVTFS4C08NTWG Rochester Electronics, LLC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 253A; 31W; WDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 55A, Pulsed drain current: 253A, Power dissipation: 31W, Case: WDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NVTFS4C08NTWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS4C08NTWG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 253A; 31W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 55A Pulsed drain current: 253A Power dissipation: 31W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVTFS4C08NTWG | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVTFS4C08NTWG | Hersteller : onsemi |
MOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVTFS4C08NTWG | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 253A; 31W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 55A Pulsed drain current: 253A Power dissipation: 31W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |