| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 1.68 EUR |
| 100+ | 1.28 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 3000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details NVTFS5C673NLWFTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NVTFS5C673NLWFTAG nach Preis ab 1.13 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NVTFS5C673NLWFTAG | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS5C673NLWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVTFS5C673NLWFTAG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.59 EUR |
| 11+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| NVTFS5C673NLWFTAG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH