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NVTFS6H854NTAG

NVTFS6H854NTAG onsemi

NVTFS6H854N_D-2319562.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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Technische Details NVTFS6H854NTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 68W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVTFS6H854NTAG NVTFS6H854NTAG onsemi nvtfs6h854n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1490 Stücke:
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NVTFS6H854NTAG NVTFS6H854NTAG ONSEMI 2711446.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
122+1.9 EUR
166+1.3 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
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NVTFS6H854NTAG NVTFS6H854NTAG ONSEMI 2711446.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
146+1.59 EUR
199+1.08 EUR
500+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVTFS6H854NTAG nvtfs6h854n-d.pdf
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Description: MOSFET N-CH 80V 9.5A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
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