NVTFS6H888NTAG ON Semiconductor
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Technische Details NVTFS6H888NTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 18W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18W, Bauform - Transistor: WDFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0457ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NVTFS6H888NTAG nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NVTFS6H888NTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
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NVTFS6H888NTAG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
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NVTFS6H888NTAG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 23960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS6H888NTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFS6H888NTAG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: WDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0457ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFS6H888NTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVTFS6H888NTAG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVTFS6H888NTAG | Hersteller : ONSEMI |
NVTFS6H888NTAG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVTFS6H888NTAG | Hersteller : onsemi |
MOSFET T8 80V U8FL |
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