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NVTFWS003N04XMTAG

NVTFWS003N04XMTAG onsemi

nvtfws003n04xm-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4500+0.71 EUR
9000+0.69 EUR
22500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
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Technische Details NVTFWS003N04XMTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm.

Weitere Produktangebote NVTFWS003N04XMTAG nach Preis ab 0.75 EUR bis 2.03 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG onsemi nvtfws003n04xm-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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14+1.55 EUR
19+1.11 EUR
25+1 EUR
100+0.88 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.75 EUR
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NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG onsemi nvtfws003n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
auf Bestellung 4297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.05 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG ONSEMI nvtfws003n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
172+1.36 EUR
208+1.04 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG ONSEMI nvtfws003n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.03 EUR
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NVTFWS003N04XMTAG
Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
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Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
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Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
auf Bestellung 880 Stücke:
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Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
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