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NVTFWS1D3N04XMTAG

NVTFWS1D3N04XMTAG onsemi


Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
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Technische Details NVTFWS1D3N04XMTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: WDFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVTFWS1D3N04XMTAG NVTFWS1D3N04XMTAG ONSEMI 4591295.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
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NVTFWS1D3N04XMTAG NVTFWS1D3N04XMTAG ONSEMI 4591295.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1500 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVTFWS1D3N04XMTAG
Hersteller: ONSEMI
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