Technische Details NVTFWS1D3N04XMTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm.
Weitere Produktangebote NVTFWS1D3N04XMTAG nach Preis ab 1.5 EUR bis 5.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVTFWS1D3N04XMTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTFWS1D3N04XMTAG | onsemi | MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE |
auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFWS1D3N04XMTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVTFWS1D3N04XMTAG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 3.25 EUR |
| 104+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| NVTFWS1D3N04XMTAG |
Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.86 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.73 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| NVTFWS1D3N04XMTAG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: WDFNW
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 46+ | 5.45 EUR |
| 72+ | 3.25 EUR |
| 104+ | 2.06 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |



