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NVTR4503NT1G Transistor

Produktcode: 199485
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
12000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4519+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4519 Stücke
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NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
847+0.2 EUR
955+0.18 EUR
1142+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 847 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.69 EUR
830+0.2 EUR
847+0.19 EUR
955+0.17 EUR
965+0.15 EUR
1142+0.13 EUR
1173+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 15128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NVTR4503NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
12000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NVTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NVTR4503NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NVTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NVTR4503NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4519+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4519 Stücke
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NVTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NVTR4503NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
847+0.2 EUR
955+0.18 EUR
1142+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 847 Stücke
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NVTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NVTR4503NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
256+0.69 EUR
830+0.2 EUR
847+0.19 EUR
955+0.17 EUR
965+0.15 EUR
1142+0.13 EUR
1173+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
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NVTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NVTR4503NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 15128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTR4503NT1G ONSM-S-A0013300296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTR4503NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTR4503NT1G ONSM-S-A0013300296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTR4503NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH