NVTR4503NT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NVTR4503NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote NVTR4503NT1G nach Preis ab 0.072 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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NVTR4503NT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 11730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 11730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 30V 2A 0110R |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.73W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.73W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 15128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVTR4503NT1G транзистор Produktcode: 199485
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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NVTR4503NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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