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Technische Details NVXK2TR80WDT onsemi
Category: Transistor modules, Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 20A; APM32; THT; Idm: 110A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 20A, Case: APM32, Topology: MOSFET x2 half-bridge, Electrical mounting: THT, On-state resistance: 0.15Ω, Pulsed drain current: 110A, Power dissipation: 82W, Technology: SiC, Gate-source voltage: -15...25V, Kind of package: tube, Mechanical mounting: screw.
Weitere Produktangebote NVXK2TR80WDT nach Preis ab 61.19 EUR bis 93.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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NVXK2TR80WDT | onsemi |
 Description: MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32 |
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| NVXK2TR80WDT |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32
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