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NX138AKR

NX138AKR Nexperia USA Inc.

NX138AK.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 325mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
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Technische Details NX138AKR Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 190mA, 10V, Power Dissipation (Max): 325mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NX138AKR NX138AKR Hersteller : Nexperia nx138ak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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NX138AKR NX138AKR Hersteller : Nexperia nx138ak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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NX138AKR NX138AKR Hersteller : Nexperia NX138AK.pdf MOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
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NX138AKR NX138AKR Hersteller : Nexperia USA Inc. NX138AK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
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Power Dissipation (Max): 325mW (Ta)
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Supplier Device Package: TO-236AB
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NX138AKR Hersteller : NEXPERIA NX138AK.pdf NX138AKR SMD N channel transistors
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NX138AKR Hersteller : NEXPERIA NX138AK.pdf Description: NEXPERIA - NX138AKR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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