NX138BKMYL Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.06 EUR |
| 20000+ | 0.057 EUR |
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Technische Details NX138BKMYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NX138BKMYL nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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NX138BKMYL | Nexperia |
MOSFETs SOT883 N-CH 60V .38A |
auf Bestellung 30210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NX138BKMYL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA |
auf Bestellung 33817 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NX138BKMYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKMYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NX138BKMYL |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT883 N-CH 60V .38A
MOSFETs SOT883 N-CH 60V .38A
auf Bestellung 30210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.18 EUR |
| 36+ | 0.094 EUR |
| 100+ | 0.071 EUR |
| 500+ | 0.067 EUR |
| 1000+ | 0.063 EUR |
| 2500+ | 0.058 EUR |
| 10000+ | 0.052 EUR |
| NX138BKMYL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
auf Bestellung 33817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 0.19 EUR |
| 182+ | 0.12 EUR |
| 209+ | 0.1 EUR |
| 249+ | 0.084 EUR |
| 274+ | 0.076 EUR |
| 500+ | 0.071 EUR |
| 1000+ | 0.068 EUR |
| 2500+ | 0.064 EUR |
| 5000+ | 0.062 EUR |
| NX138BKMYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1049+ | 0.24 EUR |
| 2017+ | 0.12 EUR |
| 2833+ | 0.076 EUR |
| 2995+ | 0.071 EUR |
| 5000+ | 0.065 EUR |
| NX138BKMYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1049+ | 0.24 EUR |
| 2017+ | 0.12 EUR |
| 2833+ | 0.076 EUR |
| 2995+ | 0.071 EUR |
| 5000+ | 0.065 EUR |



