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Technische Details NX138BKWX Nexperia
Description: NEXPERIA - NX138BKWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NX138BKWX nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NX138BKWX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R |
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NX138BKWX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SC-70 T/R |
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NX138BKWX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 266mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V |
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NX138BKWX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 266mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V |
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NX138BKWX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs NX138BKW/SOT323/SC-70 |
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NX138BKWX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 266mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NX138BKWX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138BKWX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 266mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NX138BKWX Produktcode: 144248
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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NX138BKWX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135mA; Idm: 855A; SC70,SOT323 Drain-source voltage: 60V Drain current: 135mA On-state resistance: 7.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 855A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NX138BKWX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 135mA; Idm: 855A; SC70,SOT323 Drain-source voltage: 60V Drain current: 135mA On-state resistance: 7.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 855A Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 |
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