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NX3008CBKS,115

NX3008CBKS,115 Nexperia USA Inc.

NX3008CBKS.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.096 EUR
21000+0.092 EUR
30000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details NX3008CBKS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NX3008CBKS,115 nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 NEXPERIA NX3008CBKS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Gate charge: 0.68/0.72nC
Power dissipation: 0.99W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 5891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
477+0.15 EUR
596+0.12 EUR
667+0.11 EUR
715+0.1 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 Nexperia NX3008CBKS.pdf MOSFETs NX3008CBKS/SOT363/SC-88
auf Bestellung 14688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 Nexperia USA Inc. NX3008CBKS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 50627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 NEXPERIA NX3008CBKS.pdf Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NX3008CBKS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Gate charge: 0.68/0.72nC
Power dissipation: 0.99W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 5891 Stücke:
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AnzahlPreis
218+0.33 EUR
327+0.22 EUR
477+0.15 EUR
596+0.12 EUR
667+0.11 EUR
715+0.1 EUR
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs NX3008CBKS/SOT363/SC-88
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AnzahlPreis
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NX3008CBKS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 50627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
31+0.58 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
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NX3008CBKS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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