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NX3008CBKV,115

NX3008CBKV,115 Nexperia

nx3008cbkv.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details NX3008CBKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008CBKV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008CBKV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
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26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia NX3008CBKV.pdf MOSFETs NX3008CBKV/SOT666/SOT6
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5+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003510842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NX3008CBKV,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4000+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NX3008CBKV,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
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42+0.5 EUR
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MOSFETs NX3008CBKV/SOT666/SOT6
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5+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NX3008CBKV,115 NEXP-S-A0003510842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3008CBKV,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1.25 EUR
329+0.7 EUR
516+0.42 EUR
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