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NX3008NBKV,115

NX3008NBKV,115 Nexperia


nx3008nbkv.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details NX3008NBKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3008NBKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008nbkv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008NBKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008nbkv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia NX3008NBKV.pdf MOSFETs SOT666 2NCH 30V .4A
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500+0.17 EUR
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008NBKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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45+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.14 EUR
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008nbkv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : NEXPERIA NX3008NBKV.pdf Description: NEXPERIA - NX3008NBKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008nbkv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : NEXPERIA nx3008nbkv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008nbkv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081B2F3AC150259&compId=NX3008NBKV.pdf?ci_sign=cf8ed547243141c8528201013b2ca9a472436f77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 330mW; SOT666
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NX3008NBKV,115 NX3008NBKV,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081B2F3AC150259&compId=NX3008NBKV.pdf?ci_sign=cf8ed547243141c8528201013b2ca9a472436f77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 330mW; SOT666
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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