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NX3008PBKS,115

NX3008PBKS,115 Nexperia

2116502103867460nx3008pbks.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NX3008PBKS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia 2116502103867460nx3008pbks.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia 2116502103867460nx3008pbks.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia 2116502103867460nx3008pbks.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia 2116502103867460nx3008pbks.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008PBKS.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081DAF075E16259&compId=NX3008PBKS.pdf?ci_sign=43da928c5124f6adffa2b7b10f6a2dd02e6d5872 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
162+0.44 EUR
230+0.31 EUR
291+0.25 EUR
421+0.17 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081DAF075E16259&compId=NX3008PBKS.pdf?ci_sign=43da928c5124f6adffa2b7b10f6a2dd02e6d5872 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
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Anzahl Preis
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230+0.31 EUR
291+0.25 EUR
421+0.17 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia NX3008PBKS.pdf MOSFETs SOT363 P-CH 30V .2A
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10+0.37 EUR
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3000+0.11 EUR
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008PBKS.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003511174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia 2116502103867460nx3008pbks.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Hersteller : Nexperia 2116502103867460nx3008pbks.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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