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NX3008PBKS,115

NX3008PBKS,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NX3008PBKS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003511174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 NEXPERIA NX3008PBKS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -200mA
Power dissipation: 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
On-state resistance: 4.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Gate-source voltage: ±8V
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NX3008PBKS,115 NX3008PBKS,115 Nexperia 2116502103867460nx3008pbks.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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MOSFETs NX3008PBKS/SOT363/SC-88
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm
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euEccn: NLR
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -200mA
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Case: SC88; SOT363; TSSOP6
On-state resistance: 4.1Ω
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Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.72nC
Gate-source voltage: ±8V
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Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
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