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NX3020NAKW,115

NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc.

NX3020NAKW.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 NEXPERIA NX3020NAKW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
auf Bestellung 3095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.13 EUR
758+0.11 EUR
875+0.098 EUR
1185+0.071 EUR
1323+0.064 EUR
1578+0.054 EUR
1774+0.048 EUR
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia 4375908615549810nx3020nakw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
921+0.19 EUR
1467+0.12 EUR
2000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 921 Stücke
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NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia 4375908615549810nx3020nakw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
548+0.32 EUR
921+0.18 EUR
1467+0.11 EUR
2000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 548 Stücke
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NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia NX3020NAKW.pdf MOSFETs NX3020NAKW/SOT323/SC-70
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16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc. NX3020NAKW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V
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94+0.23 EUR
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500+0.1 EUR
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NX3020NAKW,115 NX3020NAKW,115 NEXPERIA PHGL-S-A0001060146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1300 Stücke:
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NX3020NAKW,115 Nexperia NX3020NAKW.pdf Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAKW,115; NX3020NAKW.115; NX3020NAKW TNX3020nakw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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NX3020NAKW,115 NX3020NAKW.pdf
NX3020NAKW,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1185+0.071 EUR
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1578+0.054 EUR
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Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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NX3020NAKW,115 4375908615549810nx3020nakw.pdf
NX3020NAKW,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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921+0.19 EUR
1467+0.12 EUR
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NX3020NAKW,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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NX3020NAKW,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs NX3020NAKW/SOT323/SC-70
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AnzahlPrivatkunde
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1000+0.088 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NX3020NAKW,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V
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NX3020NAKW,115 PHGL-S-A0001060146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3020NAKW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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736+0.32 EUR
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NX3020NAKW,115 NX3020NAKW.pdf
Hersteller: Nexperia
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NX3020NAKW,115; NX3020NAKW.115; NX3020NAKW TNX3020nakw
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