NXH004P120M3F2PNG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
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Technische Details NXH004P120M3F2PNG onsemi
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, Dauer-Drainstrom Id: 338A, hazardous: false, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.098kW, Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXH004P120M3F2PNG nach Preis ab 408.28 EUR bis 653.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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NXH004P120M3F2PNG | onsemi |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXH004P120M3F2PNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV Dauer-Drainstrom Id: 338A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.098kW Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXH004P120M3F2PNG |
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Hersteller: onsemi
Discrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
Discrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 439.13 EUR |
| 10+ | 408.28 EUR |
| NXH004P120M3F2PNG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 653.29 EUR |
| 5+ | 594.49 EUR |