NXH40T120L3Q1SG ONSEMI

Description: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 42A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 146W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 146W, Bauform - Transistor: PIM, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: NXH40T120L3Q1, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 42A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.