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NXH600B100H4Q2F2SG onsemi


nxh600b100h4q2f2-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
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Technische Details NXH600B100H4Q2F2SG onsemi

Description: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 44-PIM (93x47), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 192 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Power - Max: 511 W, Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NXH600B100H4Q2F2SG NXH600B100H4Q2F2SG onsemi nxh600b100h4q2f2-d.pdf IGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
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