NXV40UNR Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.13 EUR |
| 9000+ | 0.12 EUR |
| 15000+ | 0.11 EUR |
| 21000+ | 0.11 EUR |
| 30000+ | 0.1 EUR |
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Technische Details NXV40UNR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXV40UNR nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NXV40UNR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXV40UNR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NXV40UNR | Nexperia USA Inc. |
Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc) |
auf Bestellung 38290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXV40UNR | Nexperia |
MOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 13216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV40UNR |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 404+ | 0.62 EUR |
| 599+ | 0.39 EUR |
| 1153+ | 0.19 EUR |
| 1241+ | 0.18 EUR |
| 1500+ | 0.15 EUR |
| NXV40UNR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
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Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - NXV40UNR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.62 EUR |
| 599+ | 0.39 EUR |
| 1153+ | 0.19 EUR |
| 1241+ | 0.18 EUR |
| 1500+ | 0.15 EUR |
| NXV40UNR |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Description: NXV40UN/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
auf Bestellung 38290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 0.67 EUR |
| 52+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.25 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| NXV40UNR |
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Hersteller: Nexperia
MOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB
MOSFET NXV40UN/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 13216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.82 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 9000+ | 0.12 EUR |
| 24000+ | 0.12 EUR |