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NXV65HR82DS1

NXV65HR82DS1 onsemi

NXV65HR82D_D-2319706.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET APM16-CAA SF3 650V 82MOHM CAP AL2O3 Y-FORMING H-BRIDGE
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Technische Details NXV65HR82DS1 onsemi

Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NXV65HR82DS1 NXV65HR82DS1 Hersteller : onsemi nxv65hr82d-d.pdf Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
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NXV65HR82DS1 NXV65HR82DS1 Hersteller : ONSEMI 3191531.pdf Description: ONSEMI - NXV65HR82DS1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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