NXV65HR82DS2 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 39.28 EUR |
| 10+ | 36.25 EUR |
| 50+ | 36.22 EUR |
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Technische Details NXV65HR82DS2 ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DS2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXV65HR82DS2 nach Preis ab 43.15 EUR bis 63.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NXV65HR82DS2 | onsemi |
Description: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Grade: Automotive Current: 26 A Voltage: 650 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXV65HR82DS2 | onsemi |
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DS2 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Grade: Automotive
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 62.92 EUR |
| 10+ | 51.09 EUR |
| 72+ | 45.55 EUR |
| 144+ | 44.23 EUR |
| 288+ | 43.15 EUR |
| NXV65HR82DS2 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 63.14 EUR |
| 12+ | 45.74 EUR |
| 108+ | 45.42 EUR |