NXV65HR82DZ1 onsemi
Hersteller: onsemi
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
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Technische Details NXV65HR82DZ1 onsemi
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 126W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm.
Weitere Produktangebote NXV65HR82DZ1 nach Preis ab 54.86 EUR bis 87.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NXV65HR82DZ1 | onsemi |
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Part Status: Active Current: 26 A Voltage: 650 V |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXV65HR82DZ1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 126W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NXV65HR82DZ1 |
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Hersteller: onsemi
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 77.08 EUR |
| 10+ | 71.08 EUR |
| 25+ | 67.88 EUR |
| NXV65HR82DZ1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 126W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 87.14 EUR |
| 5+ | 72.82 EUR |
| 10+ | 61.05 EUR |
| 50+ | 54.86 EUR |