NXV65HR82DZ1 ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 126W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 40.1 EUR |
| 10+ | 36.68 EUR |
| 50+ | 36.33 EUR |
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Technische Details NXV65HR82DZ1 ONSEMI
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NXV65HR82DZ1 nach Preis ab 47.48 EUR bis 77.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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NXV65HR82DZ1 | onsemi |
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NXV65HR82DZ1 | onsemi |
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Part Status: Active Current: 26 A Voltage: 650 V |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NXV65HR82DZ1 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
MOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 52.47 EUR |
| 12+ | 47.48 EUR |
| NXV65HR82DZ1 |
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Hersteller: onsemi
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: H-Bridge
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Part Status: Active
Current: 26 A
Voltage: 650 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 77.08 EUR |
| 10+ | 71.08 EUR |
| 25+ | 67.88 EUR |