NXV65HR82DZ2 onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter APM16-CAB, L-Shape
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NXV65HR82DZ2 onsemi
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 126W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 126W, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NXV65HR82DZ2 nach Preis ab 50.75 EUR bis 57.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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NXV65HR82DZ2 | Hersteller : onsemi |
Description: AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG Packaging: Tube Package / Case: 16-SSIP Exposed Pad, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: H-Bridge Voltage - Isolation: 5000Vrms Part Status: Active Current: 26 A Voltage: 650 V |
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NXV65HR82DZ2 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXV65HR82DZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 126W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 126W Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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