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NZT560

NZT560 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NZT560 ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT223-4, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-4, Frequency - Transition: 75MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NZT560 NZT560 onsemi nzt560a-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT223-4
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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