NZT560A ON Semiconductor
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Technische Details NZT560A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NZT560A nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NZT560A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NZT560A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NZT560A | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
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NZT560A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NZT560A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NZT560A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NZT560A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation |
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NZT560A | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 7650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NZT560A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NZT560A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NZT560A | Hersteller : ONSEMI |
NZT560A NPN SMD transistors |
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NZT560A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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