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OPA658P

OPA658P BB

datasheet-opa658p.pdf
Produktcode: 84752
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Hersteller: BB
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±5,5 V
Bandbreite BW, MHz: 135 МГц
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: 1 Kanal
Anzahl Kanäle: 1
Montage: THT
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1+1.83 EUR
10+1.5 EUR
100+1.2 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
OPA658P OPA658P Texas Instruments High Speed Operational Amplifiers Wideband
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OPA658P
OPA658P
Hersteller: Texas Instruments
High Speed Operational Amplifiers Wideband
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OP37GS
Produktcode: 30023
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description RE_DSHEET_OP37GZ_REI.pdf?t.download=true&u=5oefqw
OP37GS
Hersteller: AD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±22 V
Bandbreite BW, MHz: 63 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,03 mV
Anstiegsrate, V/µs: 17 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1
Anzahl Kanäle: 1
Montage: SMD
auf Bestellung 62 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.4 EUR
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SN74HC14N
Produktcode: 29733
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description sn74hc14.pdf?ts=1638587495517
SN74HC14N
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Sechsfach-Schmitt-Trigger Inverter
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 2...6 V
Temperatur, °C: -40...+85°C
Logikgatter-Typ: Schmitt-Trigger
auf Bestellung 289 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
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LM833N/NOPB
Produktcode: 29568
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description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm833-n
LM833N/NOPB
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Vc, V: 36 V
Bandbreite BW, MHz: 15 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 5 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 1 В/µs
Temperaturbereich: -40...+85°С
Anzahl Kanäle: 2
Montage: THT
verfügbar: 108 St.
  • 9 St. - stock Köln
  • 99 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.63 EUR
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BPW34
Produktcode: 25387
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BPW34.pdf
BPW34BPW34
BPW34BPW34
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Kollektor-Emitter-Spannung Vceo, V: 60 V
Spektralbereich 0.5, nm: 430-1100 nm
Spektrales Maximum, nm: 900 nm
Anstiegs-/Abfallzeit Ton/Tof, µs: 0,1/0,1 µc
Zusätzlich: Fotodiode, DIP-2
Typ: Fotodiode
auf Bestellung 76 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.86 EUR
10+0.81 EUR
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1240 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
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