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P15F60HP2F-5600

P15F60HP2F-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5ABB3B065E0C7&compId=P15F60HP2F.pdf?ci_sign=01925383180d73b983641421de6a47ebc205ea96 Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details P15F60HP2F-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Hi-PotMOS2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 15A, Power dissipation: 95W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 530mΩ, Mounting: THT, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 34nC, Pulsed drain current: 60A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P15F60HP2F-5600 nach Preis ab 1.36 EUR bis 2.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P15F60HP2F-5600 P15F60HP2F-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5ABB3B065E0C7&compId=P15F60HP2F.pdf?ci_sign=01925383180d73b983641421de6a47ebc205ea96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 95W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 60A
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P15F60HP2F-5600 Hersteller : Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
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