Technische Details P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV, Dauerkollektorstrom: 2kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote P2000DL45X168HPSA1 nach Preis ab 2896.34 EUR bis 11328.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
P2000DL45X168HPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||
|
P2000DL45X168HPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 4500V 2000A P16826K-1Packaging: Tray Package / Case: TO-200AF Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: BG-P16826K-1 IGBT Type: Trench Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||
|
P2000DL45X168HPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V usEccn: 3A228.c IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V Verlustleistung Pd: - euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV Dauerkollektorstrom: 2kA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 2kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P2000DL45X168HPSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2896.34 EUR |
| P2000DL45X168HPSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 4500V 2000A P16826K-1
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: BG-P16826K-1
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 4500V 2000A P16826K-1
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: BG-P16826K-1
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11328.1 EUR |
| P2000DL45X168HPSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




