P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V, Dauer-Kollektorstrom: 2kA, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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P2000DL45X168HPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray |
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P2000DL45X168HPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: PRESS PACK IGBT Packaging: Tray Package / Case: TO-200AF Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 2000A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: BG-P16826K-1 IGBT Type: Trench Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 420 nF @ 25 V |
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P2000DL45X168HPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V Dauer-Kollektorstrom: 2kA usEccn: 3A228.c IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V Verlustleistung Pd: - euEccn: 3A228.c Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 2kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| P2000DL45X168HPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray |
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P2000DL45X168HPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules |
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