P40F10SN-5600 SHINDENGEN
Hersteller: SHINDENGENCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate charge: 92nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Case: FTO-220AG (SC91)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 48+ | 1.5 EUR |
| 54+ | 1.34 EUR |
| 71+ | 1.02 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
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Technische Details P40F10SN-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W, Mounting: THT, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 40A, On-state resistance: 10.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 44W, Polarisation: unipolar, Kind of package: bulk, Gate charge: 92nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Case: FTO-220AG (SC91), Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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P40F10SN-5600 | Hersteller : SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 44W Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 44W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate charge: 92nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: FTO-220AG (SC91) |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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