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P40F12SN-5600

P40F12SN-5600 SHINDENGEN

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5609CF4AD60C7&compId=P40F12SN.pdf?ci_sign=bf87b2b77e27392920630a75291cb7ece55edc8e Hersteller: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details P40F12SN-5600 SHINDENGEN

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: EETMOS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 51W, Case: FTO-220AG (SC91), Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 11.9mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 117nC, Kind of package: bulk, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote P40F12SN-5600 nach Preis ab 1.14 EUR bis 2.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
P40F12SN-5600 P40F12SN-5600 Hersteller : SHINDENGEN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB839118EC4C6220C7&compId=_Shindengen%20Catalogue%202020.pdf?ci_sign=187763cd1f57da04a713ebf500a9ceff30383ffb pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA1C5609CF4AD60C7&compId=P40F12SN.pdf?ci_sign=bf87b2b77e27392920630a75291cb7ece55edc8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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P40F12SN-5600 Hersteller : Shindengen Electric Manufacturing Co. P40F12SN-5600
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P40F12SN-5600 Hersteller : Shindengen shindengen_F072-13.pdf MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
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