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P600J

P600J Diotec Semiconductor

p600a.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Diode Switching 600V 6A 2-Pin Case P-600 Ammo
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Technische Details P600J Diotec Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: P600, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

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P600J P600J Hersteller : Diotec Semiconductor p600a.pdf Diode Switching 600V 6A 2-Pin Case P-600 Ammo
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P600J P600J Hersteller : Diotec Semiconductor p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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P600J P600J Hersteller : Diotec Semiconductor p600a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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