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PB3508-E3/45

PB3508-E3/45 Vishay General Semiconductor

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Hersteller: Vishay General Semiconductor
Bridge Rectifiers 35A,800V Enhanced Power Bridge
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Technische Details PB3508-E3/45 Vishay General Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A PB, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, PB, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: isoCINK+™ PB, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

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PB3508-E3/45 PB3508-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division pb3506.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A PB
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, PB
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: isoCINK+™ PB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
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