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PBHV2160ZX Nexperia


pbhv2160z.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details PBHV2160ZX Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia pbhv2160z.pdf Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia USA Inc. PBHV2160Z.pdf Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia USA Inc. PBHV2160Z.pdf Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 650 mW
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PBHV2160ZX PBHV2160ZX Nexperia PBHV2160Z.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V .1A NPN BISS TRANS
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PBHV2160ZX PBHV2160ZX NEXPERIA NEXP-S-A0003107946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBHV2160ZX PBHV2160ZX NEXPERIA NEXP-S-A0003107946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 650 mW
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Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V .1A NPN BISS TRANS
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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