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Technische Details PBHV2160ZX Nexperia
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBHV2160ZX nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PBHV2160ZX | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBHV2160ZX | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBHV2160ZX | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 650 mW |
auf Bestellung 1161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBHV2160ZX | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V .1A NPN BISS TRANS |
auf Bestellung 2867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBHV2160ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBHV2160ZX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBHV2160ZX |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.31 EUR |
| PBHV2160ZX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Power - Max: 650 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.4 EUR |
| PBHV2160ZX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 650 mW
Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 6mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 650 mW
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.49 EUR |
| 23+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| PBHV2160ZX |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V .1A NPN BISS TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT223 60V .1A NPN BISS TRANS
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 5000+ | 0.32 EUR |
| PBHV2160ZX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 124+ | 2.02 EUR |
| 200+ | 1.17 EUR |
| 242+ | 0.89 EUR |
| 308+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| PBHV2160ZX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 124+ | 2.02 EUR |
| 200+ | 1.17 EUR |
| 242+ | 0.89 EUR |
| 308+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |





