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PBHV8115X,115

PBHV8115X,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT89 150V 1A NPN BISS TRAN
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Technische Details PBHV8115X,115 Nexperia

Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 20mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1.5 W, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBHV8115X,115 PBHV8115X,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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PBHV8115X,115 PBHV8115X,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150
Verlustleistung: 1.5
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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PBHV8115X,115 NXP Semiconductors PBHV8115X.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150
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SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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