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PBHV8115Z,115

PBHV8115Z,115 Nexperia

pbhv8115z.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details PBHV8115Z,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : NEXPERIA PBHV8115Z.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 100...250
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
93+0.77 EUR
137+0.52 EUR
172+0.42 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : NEXPERIA PBHV8115Z.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 100...250
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : Nexperia PBHV8115Z.pdf Bipolar Transistors - BJT PBHV8115Z/SOT223/SC-73
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8115Z.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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21+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : NEXPERIA 3205166.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : NEXPERIA 3205166.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBHV8115Z,115 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En PBHV8115Z.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,4; Uceo, В = 150; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 30; hFE = 50 @ 500 мA, 10 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А; Тексп, °С = -55...+150; SOT-323
auf Bestellung 314 Stücke:
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : NEXPERIA 230pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8115Z.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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