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PBHV8115Z,115

PBHV8115Z,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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Technische Details PBHV8115Z,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Nexperia pbhv8115z.pdf Trans GP BJT NPN 150V 1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 NEXPERIA 3205166.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 NEXPERIA 3205166.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 1A
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Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PBHV8115Z,115 NXP/Nexperia/We-En PBHV8115Z.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,4, Uceo, В = 150, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 30, hFE = 50 @ 500 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,35 @ 200 мА, 1 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 10 Од. ви
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verfügbar 314 Stücke:
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Description: NEXPERIA - PBHV8115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Dauer-Kollektorstrom: 1A
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Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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