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PBHV8215Z,115

PBHV8215Z,115 Nexperia

PBHV8215Z.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBHV8215Z/SOT223/SC-73
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Technische Details PBHV8215Z,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 33MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8215Z.pdf Description: TRANS NPN 150V 2A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 33MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.45 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 602 Stücke:
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PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV8215Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 2 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 33MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PBHV8215Z,115 Hersteller : NXP Semiconductors PBHV8215Z.pdf NPN 2A 150V SOT-223
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PBHV8215Z,115 Hersteller : NEXPERIA PBHV8215Z.pdf PBHV8215Z.115 NPN SMD transistors
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PBHV8215Z,115 PBHV8215Z,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8215Z.pdf Description: TRANS NPN 150V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 10V
Frequency - Transition: 33MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q100
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