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PBHV8515QAZ

PBHV8515QAZ Nexperia


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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBHV8515QA/SOT1215/DFN1010D-3
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Technische Details PBHV8515QAZ Nexperia

Description: TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3, Power - Max: 325 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Frequency - Transition: 75MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBHV8515QAZ PBHV8515QAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8515QA.pdf Description: TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3
Power - Max: 325 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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