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PBHV8515QAZ

PBHV8515QAZ Nexperia

PBHV8515QA.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBHV8515QA/SOT1215/DFN1010D-3
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Technische Details PBHV8515QAZ Nexperia

Description: TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 325 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBHV8515QAZ PBHV8515QAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8515QA.pdf Description: TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PBHV8515QAZ Hersteller : NEXPERIA PBHV8515QA.pdf Description: NEXPERIA - PBHV8515QAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PBHV8515QAZ PBHV8515QAZ Hersteller : Nexperia 3633558756062395pbhv8515qa.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.5A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBHV8515QAZ PBHV8515QAZ Hersteller : NEXPERIA 3633558756062395pbhv8515qa.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.5A 1000mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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PBHV8515QAZ PBHV8515QAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV8515QA.pdf Description: TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q101
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