PBHV8550XF Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 500V 0.15A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 520 mW
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details PBHV8550XF Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: SC-62, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 35MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PBHV8550XF nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PBHV8550XF | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 500V 0.15A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 6mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 35MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 520 mW Qualification: AEC-Q101 |
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PBHV8550XF | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 600 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat transistor |
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PBHV8550XF | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SC-62 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 35MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PBHV8550XF | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SC-62 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 35MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBHV8550XF | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8550XF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 500 V, 150 mA, 520 mW, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 150mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SC-62 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 35MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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PBHV8550XF | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 500V 0.15A 520mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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PBHV8550XF | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 500V 0.15A 520mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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