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PBHV9115T,215

PBHV9115T,215 Nexperia

pbhv9115t.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBHV9115T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV9115T.pdf Description: TRANS PNP 150V 1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96FB0ACA1560A0C7&compId=PBHV9115T.pdf?ci_sign=9558807d3bc152947baf75ca4535576ee49e8984 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...220
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 115MHz
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179+0.4 EUR
258+0.28 EUR
353+0.2 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96FB0ACA1560A0C7&compId=PBHV9115T.pdf?ci_sign=9558807d3bc152947baf75ca4535576ee49e8984 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...220
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 115MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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353+0.2 EUR
382+0.19 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia PBHV9115T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T/SOT23/TO-236AB
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PBHV9115T.pdf Description: TRANS PNP 150V 1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : NEXPERIA PBHV9115T.pdf Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002880907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Hersteller : NEXPERIA 228pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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