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PBHV9115T,215

PBHV9115T,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PBHV9115T,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia USA Inc. PBHV9115T.pdf Description: TRANS PNP 150V 1A TO-236AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
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3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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472+0.37 EUR
477+0.36 EUR
654+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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447+0.38 EUR
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3000+0.17 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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259+0.68 EUR
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477+0.31 EUR
654+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia pbhv9115t.pdf Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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301+0.56 EUR
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3000+0.14 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia PBHV9115T.pdf Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T/SOT23/TO-236AB
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 Nexperia USA Inc. PBHV9115T.pdf Description: TRANS PNP 150V 1A TO-236AB
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
auf Bestellung 46474 Stücke:
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19+1.15 EUR
30+0.73 EUR
100+0.46 EUR
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002880907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 947 Stücke:
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210+1.19 EUR
304+0.76 EUR
610+0.36 EUR
663+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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PBHV9115T,215 PBHV9115T,215 NEXPERIA PBHV9115T.pdf Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1812 Stücke:
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184+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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PBHV9115T,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PBHV9115T,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 1A TO-236AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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472+0.37 EUR
477+0.36 EUR
654+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
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6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
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Hersteller: Nexperia
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
301+0.58 EUR
447+0.38 EUR
605+0.27 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
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Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
259+0.68 EUR
318+0.52 EUR
321+0.5 EUR
472+0.33 EUR
477+0.31 EUR
654+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 259 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
245+0.71 EUR
301+0.56 EUR
447+0.36 EUR
605+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PBHV9115T/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 7711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.77 EUR
10+0.52 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PBHV9115T,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 1A TO-236AB
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
auf Bestellung 46474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+1.15 EUR
30+0.73 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PBHV9115T,215 NEXP-S-A0002880907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PBHV9115T,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+1.19 EUR
304+0.76 EUR
610+0.36 EUR
663+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PBHV9115T,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
184+1.37 EUR
291+0.8 EUR
453+0.48 EUR
658+0.32 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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