PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 2000+ | 0.35 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PBHV9115Z,115 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PBHV9115Z,115 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVOLT VCE BJT |
auf Bestellung 4394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBHV9115Z,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.4 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 7487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PBHV9115Z,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 115MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBHV9115Z,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 150V 1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |