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PBHV9115Z,115

PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc.

PBHV9115Z.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
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Technische Details PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 115MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote PBHV9115Z,115 nach Preis ab 0.51 EUR bis 3.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PBHV9115Z,115 PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV9115Z.pdf Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
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PBHV9115Z,115 PBHV9115Z,115 Nexperia PBHV9115Z.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVO LT VCE BJT
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.4 EUR
100+0.88 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PBHV9115Z,115 PBHV9115Z,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
120+1.95 EUR
184+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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PBHV9115Z,115 PBHV9115Z.pdf
PBHV9115Z,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 115MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Bipolar Transistors - BJT SOT223 150V NPN HIVO LT VCE BJT
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PBHV9115Z,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV9115Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 115MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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