PBLS6022D,115 Nexperia
Hersteller: NexperiaTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/1.5A 760mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details PBLS6022D,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PBLS6022D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1.5 A, 1.5 A, 480 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 285hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 480mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A, Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 285hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 480mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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PBLS6022D,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6-TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 760mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSOP |
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PBLS6022D,115 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PBLS6022D/SOT457/SC-74 |
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PBLS6022D,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 760mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSOP |
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| PBLS6022D,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/60V 100mA/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
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| PBLS6022D,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/60V 100mA/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
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| PBLS6022D,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/60V 100mA/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBLS6022D,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/60V 100mA/1.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
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| PBLS6022D,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBLS6022D,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 223760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PBLS6022D,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBLS6022D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1.5 A, 1.5 A, 480 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 285hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 480mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 285hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 480mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PBLS6022D,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBLS6022D,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1.5 A, 1.5 A, 480 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 285hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 480mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 285hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 480mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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