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PBSS302NX,115

PBSS302NX,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 20V 5.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details PBSS302NX,115 Nexperia

Description: TRANS NPN 20V 5.3A SOT-89, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Power - Max: 2.1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89, Frequency - Transition: 140MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PBSS302NX,115 PBSS302NX,115 Nexperia PBSS302NX.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 2 0V
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PBSS302NX,115 PBSS302NX,115 Nexperia USA Inc. PBSS302NX.pdf Description: TRANS NPN 20V 5.3A SOT-89
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 265mA, 5.3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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Qualification: AEC-Q100
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
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Transistor Type: NPN
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